Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
明地 省吾*; 平田 早紀子*; 日下 良二; 本田 匠*; 為国 誠太*; 村松 悟*; 齋藤 健一*; 平尾 岳大*; 灰野 岳晴*; 渡邉 雅之; et al.
no journal, ,
Recently, we have been performing surface-enhanced infrared absorption (SEIRA) spectroscopy of Eu complexes, aiming for clarifying the origin of selectivity of O-donor/N-donor ligands toward lanthanides (Ln)/minor actinides (MA) in radioactive waste treatments. In this study, we improved the SEIRA setup to extend the study to complexes of Am (MA), which is a radioactive nuclide. We made a new sample vessel with smaller internal volume and higher sealing ability, where we successfully reduced the radiation exposure (less than 1 Sv) during the experiment. In the actual measurement of AmDGA complex, the absorption of the C=O stretching of the amide unit was observed at 1621 cm; it is redshifted by 8 cm from the Eu complex, one of the lanthanides, which was supported by theoretical calculations.
津田 泰孝; 坂本 徹哉; 吉越 章隆
no journal, ,
ゲルマニウム(Ge)は、キャリア移動度の高さから、金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の代替チャネル材料として注目されている。MOSFETの性能を向上させるためには、絶縁体/Ge界面の原子レベルでの制御が必須である。したがって、Ge表面の酸化過程を原子レベルで理解する必要がある。しかしながら、広く利用される半導体であるケイ素(Si)と比較するとGe表面の酸化過程の理解は十分に進んでいるとは言えない。これまでの研究から、Ge(100)およびGe(111)表面における酸素(O)分子による室温酸化では、いずれの面方位においてもSiと大きく異なる結果が得られている。並進エネルギーを制御した分子線による酸化に関しては、Ge(100)表面で並進エネルギーの大きさにかかわらず+2価の酸化数に酸化がとどまるのに対し、Ge(111)表面では並進エネルギーが大きくなると+3価まで酸化が進行するという特異な面方位依存性が表れる。本研究では、低指数面として重要なGe(110)に注目し、これまでのGe(100)およびGe(111)との比較から、Ge表面酸化の統一的理解を目指す。